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SIRA04DP-T1-GE3 MOSFET 30V Vds 20V的功能

日期:2019-08-12 10:46    发布企业: 深圳市安富世纪电子有限公司

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制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息 
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1。1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷: 117 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 71。4 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET, PowerPAK
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: SIR 
晶体管类型: 1 N-Channel 
商标: Vishay / Siliconix 
正向跨导 - 最小值: 110 S 
下降时间: 8 ns 
产品类型: MOSFET 
上升时间: 10 ns 
工厂包装数量: 3000 
子类别: MOSFETs 
典型关闭延迟时间: 42 ns 
典型接通延迟时间: 16 ns 
零件号别名: SIRA02DP-GE3 
单位重量: 506.600 mg

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